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广德特旺请求一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法专利此专利能改进锂离子电池硅碳负极资料的电功能

时间: 2024-11-23 12:10:14 |   作者: 其它设备

产品介绍

  

广德特旺请求一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法专利此专利能改进锂离子电池硅碳负极资料的电功能

  金融界 2024 年 10 月 30 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,广德特旺光电资料有限公司请求一项名为“一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法”的专利,公开号 CN 118833826 A,请求日期为 2024 年 7 月。

  专利摘要显现,本发明公开了一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法,包含:将工业级硅粉进行预处理;将预处理后的硅粉与工业级二氧化硅粉体参加球磨机中球磨,得到球磨混合料;将球磨混合料浸泡在盐酸溶液中,先在常温下进行超声处理,接着进行微波处理,得到预处理混合料;向预处理混合猜中参加去离子水捏合,然后压块,烘干,得到坯体;将坯体在真空条件下加热反响,然后冷凝,搜集沉积物,即得 SiO 粉体。本发明的出产办法得到的 SiO 粉体具有铝含量极低的特色,有利于改进锂离子电池硅碳负极资料的电功能。

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