金融界 2024 年 10 月 30 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,广德特旺光电资料有限公司请求一项名为“一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法”的专利,公开号 CN 118833826 A,请求日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显现,本发明公开了一种铝含量低的 SiO 粉体的出产办法,包含:将工业级硅粉进行预处理;将预处理后的硅粉与工业级二氧化硅粉体参加球磨机中球磨,得到球磨混合料;将球磨混合料浸泡在盐酸溶液中,先在常温下进行超声处理,接着进行微波处理,得到预处理混合料;向预处理混合猜中参加去离子水捏合,然后压块,烘干,得到坯体;将坯体在真空条件下加热反响,然后冷凝,搜集沉积物,即得 SiO 粉体。本发明的出产办法得到的 SiO 粉体具有铝含量极低的特色,有利于改进锂离子电池硅碳负极资料的电功能。
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